SiC MOSFET (карбид кремния металл-оксид-полупроводник полевой транзистор) представляет собой тип силового MOSFET, в котором в качестве полупроводникового материала используется карбид кремния.SiC MOSFET предназначены для высокопроизводительных приложений силовой электроники, предлагая несколько преимуществ по сравнению с традиционными MOSFET на основе кремния.Они особенно хорошо подходят для высоковольтных, высокотемпературных и высокочастотных сред.