Карбид-кремниевый диод (SiC-диод) представляет собой тип полупроводникового диода, в котором в качестве полупроводникового материала используется карбид кремния.Диоды SiC обладают значительными преимуществами по сравнению с традиционными кремниевыми диодами в некоторых приложениях благодаря уникальным свойствам карбида кремния.Карбид кремния представляет собой полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, обладающий превосходными тепловыми, электрическими и электронными свойствами, что делает его подходящим для мощных и высокотемпературных приложений.